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部品番号(s) : NX6411GH
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION
部品番号(s) : NX6411GH NX6411GH-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION
部品番号(s) : NX6410GH
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION
部品番号(s) : NX6410GH NX6410GH-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION
部品番号(s) : NX5315EH NX5315EH-AZ_
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : 1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : 1 310 nm FOR 156 Mb/s, 622 Mb/s, 1.25 Gb/s, FTTH InGaAsP MQW-FP LASER DIODE (Rev - 2006)
部品番号(s) : NX5315 NX5315EK-AZ NX5315EH-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : NECʼs 1310 nm InGaAsP MQW FP LASER DIODE IN CAN PACKAGE FOR FTTH PON APPLICATIONS
部品番号(s) : NX5323EH
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : 1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
部品番号(s) : NX5323EH
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : 1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
部品番号(s) : NX5317 NX5317EE-AZ NX5317EH-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : 1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
部品番号(s) : NX5312 NX5312EH-AZ NX5312EK-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : LASER DIODE
部品番号(s) : NX5313 NX5313EH NX5313EK
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : 1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
部品番号(s) : NX5311GK NX5311GH NX5311 NX5311S
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : NEC’s 1310 nm InGaAsP MQW FP LASER DIODE IN CAN PACKAGE FOR 1.25 Gb/s AND FTTH PON APPLICATIONS
部品番号(s) : NX5313 NX5313EH NX5313EK
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : NEC’s 1310 nm InGaAsP MQW FP LASER DIODE IN CAN PACKAGE FOR FTTH PON APPLICATIONS
部品番号(s) : NX6308GH PL10692EJ03V0DS
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : 1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
部品番号(s) : NX6309GH
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : 1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
部品番号(s) : NX6309GH NX6309GH-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : 1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
部品番号(s) : NX6308GH NX6308GH-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : 1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
部品番号(s) : NX6406 NX6406GH-AZ NX6406GK-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : NECʼs 1490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE IN CAN PACKAGE FOR FTTH PON APPLICATIONS
部品番号(s) : NX6506 NX6506GH-AZ NX6506GK-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : NECʼs 1550 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE IN CAN PACKAGE FOR 622 Mb/s AND 1.25 Gb/s APPLICATIONS